Nexperia USA Inc. - PSMN4R3-80ES,127

KEY Part #: K6418519

PSMN4R3-80ES,127 Hinnakujundus (USD) [67219tk Laos]

  • 1 pcs$1.46312
  • 10 pcs$1.32078
  • 100 pcs$1.00674
  • 500 pcs$0.78303
  • 1,000 pcs$0.64880

Osa number:
PSMN4R3-80ES,127
Tootja:
Nexperia USA Inc.
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Dioodid - RF and Transistorid - FET, MOSFET - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN4R3-80ES,127 electronic components. PSMN4R3-80ES,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN4R3-80ES,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R3-80ES,127 Toote atribuudid

Osa number : PSMN4R3-80ES,127
Tootja : Nexperia USA Inc.
Kirjeldus : MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Sari : -
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 80V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 4.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 1mA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 111nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 8161pF @ 40V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 306W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : I2PAK
Pakett / kohver : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Samuti võite olla huvitatud
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.

  • TK6A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS.