Vishay Siliconix - SIS406DN-T1-GE3

KEY Part #: K6393441

SIS406DN-T1-GE3 Hinnakujundus (USD) [269141tk Laos]

  • 1 pcs$0.13743
  • 3,000 pcs$0.12932

Osa number:
SIS406DN-T1-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Dioodid - RF and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SIS406DN-T1-GE3 electronic components. SIS406DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS406DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS406DN-T1-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SIS406DN-T1-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
Sari : TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 30V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 3V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 28nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 1.5W (Ta)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PowerPAK® 1212-8
Pakett / kohver : PowerPAK® 1212-8