Osa number :
SIS406DN-T1-GE3
Tootja :
Vishay Siliconix
Kirjeldus :
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
30V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
3V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
28nC @ 10V
VG (maksimaalselt) :
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 15V
Võimsuse hajumine (max) :
1.5W (Ta)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Tarnija seadme pakett :
PowerPAK® 1212-8
Pakett / kohver :
PowerPAK® 1212-8