Vishay Siliconix - SI1002R-T1-GE3

KEY Part #: K6401178

[7983tk Laos]


    Osa number:
    SI1002R-T1-GE3
    Tootja:
    Vishay Siliconix
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - sillaldid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - JFET-id, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Türistorid - SCR - moodulid and Türistorid - SCR ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1002R-T1-GE3 electronic components. SI1002R-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1002R-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1002R-T1-GE3 Toote atribuudid

    Osa number : SI1002R-T1-GE3
    Tootja : Vishay Siliconix
    Kirjeldus : MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
    Sari : -
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : N-Channel
    Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 30V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 610mA (Ta)
    Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 1.5V, 4.5V
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 560 mOhm @ 500mA, 4.5V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 1V @ 250µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 2nC @ 8V
    VG (maksimaalselt) : ±8V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 36pF @ 15V
    FET funktsioon : -
    Võimsuse hajumine (max) : 220mW (Ta)
    Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Tarnija seadme pakett : SC-75A
    Pakett / kohver : SC-75A