ON Semiconductor - FQD6N60CTM

KEY Part #: K6407922

[7959tk Laos]


    Osa number:
    FQD6N60CTM
    Tootja:
    ON Semiconductor
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET N-CH 600V 4A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Elektrijuhi moodulid, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - JFET-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - IGBT - massiivid and Transistorid - IGBT - üksikud ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in ON Semiconductor FQD6N60CTM electronic components. FQD6N60CTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD6N60CTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD6N60CTM Toote atribuudid

    Osa number : FQD6N60CTM
    Tootja : ON Semiconductor
    Kirjeldus : MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
    Sari : QFET®
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : N-Channel
    Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 600V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
    Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 2 Ohm @ 2A, 10V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 20nC @ 10V
    VG (maksimaalselt) : ±30V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 810pF @ 25V
    FET funktsioon : -
    Võimsuse hajumine (max) : 80W (Tc)
    Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Tarnija seadme pakett : D-Pak
    Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63