Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N5407GP-E3/73

KEY Part #: K6440310

1N5407GP-E3/73 Hinnakujundus (USD) [283149tk Laos]

  • 1 pcs$0.13063
  • 2,000 pcs$0.11839

Osa number:
1N5407GP-E3/73
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,800V, STD SUPERECT
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - JFET-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Elektrijuhi moodulid, Transistorid - eriotstarbelised, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors and Dioodid - alaldid - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N5407GP-E3/73 electronic components. 1N5407GP-E3/73 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5407GP-E3/73, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5407GP-E3/73 Toote atribuudid

Osa number : 1N5407GP-E3/73
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 800V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 3A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.2V @ 3A
Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : -
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 400V
Mahtuvus @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Through Hole
Pakett / kohver : DO-201AD, Axial
Tarnija seadme pakett : DO-201AD
Töötemperatuur - ristmik : -50°C ~ 150°C

Samuti võite olla huvitatud
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM