Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Transistorid - FET, MOSFET - massiivid
  5. EPC2103ENG

EPC - EPC2103ENG

KEY Part #: K6523725

[4069tk Laos]

    Osa number:
    EPC2103ENG
    Tootja:
    EPC
    Täpsem kirjeldus:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - JFET-id, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Türistorid - SCR - moodulid, Elektrijuhi moodulid and Dioodid - Zener - üksikud ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in EPC EPC2103ENG electronic components. EPC2103ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2103ENG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2103ENG Toote atribuudid

    Osa number : EPC2103ENG
    Tootja : EPC
    Kirjeldus : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    Sari : eGaN®
    Osa olek : Active
    FET tüüp : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET funktsioon : GaNFET (Gallium Nitride)
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 80V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 23A
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.5V @ 7mA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 40V
    Võimsus - max : -
    Töötemperatuur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Pakett / kohver : Die
    Tarnija seadme pakett : Die
    Samuti võite olla huvitatud
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    Kuumad osad