ON Semiconductor - FDD6N50TM-WS

KEY Part #: K6409558

FDD6N50TM-WS Hinnakujundus (USD) [177234tk Laos]

  • 1 pcs$0.20869

Osa number:
FDD6N50TM-WS
Tootja:
ON Semiconductor
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - TRIAC-d, Elektrijuhi moodulid, Türistorid - SCR, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - RF and Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors ...
Konkurentsieelis:
We specialize in ON Semiconductor FDD6N50TM-WS electronic components. FDD6N50TM-WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD6N50TM-WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD6N50TM-WS Toote atribuudid

Osa number : FDD6N50TM-WS
Tootja : ON Semiconductor
Kirjeldus : MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Sari : UniFET™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 500V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 16.6nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 9400pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 89W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : D-Pak
Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63