Vishay Semiconductor Diodes Division - UG15JTHE3/45

KEY Part #: K6445609

UG15JTHE3/45 Hinnakujundus (USD) [2049tk Laos]

  • 1,000 pcs$0.40090

Osa number:
UG15JTHE3/45
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - JFET-id, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - RF and Transistorid - FET, MOSFET - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UG15JTHE3/45 electronic components. UG15JTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UG15JTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UG15JTHE3/45 Toote atribuudid

Osa number : UG15JTHE3/45
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Sari : -
Osa olek : Obsolete
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 600V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 15A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.75V @ 15A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 50ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 30µA @ 600V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Through Hole
Pakett / kohver : TO-220-2
Tarnija seadme pakett : TO-220AC
Töötemperatuur - ristmik : 150°C (Max)

Samuti võite olla huvitatud
  • PMEG2010AEK,115

    NXP USA Inc.

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

  • IDB09E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.

  • VS-80EPS12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.