GeneSiC Semiconductor - 1N8033-GA

KEY Part #: K6446536

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - JFET-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Dioodid - sillaldid, Transistorid - IGBT - üksikud, Türistorid - TRIAC-d, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors and Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id ...

Konkurentsieelis:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N8033-GA electronic components. 1N8033-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N8033-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : 1N8033-GA

Tootja : GeneSiC Semiconductor

Kirjeldus : DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Sari : -

Osa olek : Obsolete

Dioodi tüüp : Silicon Carbide Schottky

Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 650V

Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 4.3A (DC)

Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.65V @ 5A

Kiirus : No Recovery Time > 500mA (Io)

Vastupidine taastumisaeg (trr) : 0ns

Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 650V

Mahtuvus @ Vr, F : 274pF @ 1V, 1MHz

Paigaldus tüüp : Surface Mount

Pakett / kohver : TO-276AA

Tarnija seadme pakett : TO-276

Töötemperatuur - ristmik : -55°C ~ 250°C

Samuti võite olla huvitatud

MMBD4148-D87Z

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.
BAT54-D87Z

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.
IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
VS-MBRD340PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK.
VS-50WQ03FNTRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.
VS-50WQ03FNPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.