EPC - EPC2106ENGRT

KEY Part #: K6523313

EPC2106ENGRT Hinnakujundus (USD) [119287tk Laos]

1 pcs$0.33054
2,500 pcs$0.32890

Osa number:: EPC2106ENGRT

Tootja:: EPC

Täpsem kirjeldus:: GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE.

Manufacturer's standard lead time:: Laos

Säilitusaeg:: Üks aasta

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Makseviis:

Saadetise viis:

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - RF, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Dioodid - sillaldid, Dioodid - alaldid - massiivid, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - eriotstarbelised and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid ...

Konkurentsieelis:: We specialize in EPC EPC2106ENGRT electronic components. EPC2106ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2106ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

EPC2106ENGRT Toote atribuudid

Osa number : EPC2106ENGRT

Tootja : EPC

Kirjeldus : GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

Sari : eGaN®

Osa olek : Active

FET tüüp : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET funktsioon : GaNFET (Gallium Nitride)

Tühjendage toitepingele (Vdss) : 100V

Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 1.7A

Rds sees (max) @ id, Vgs : 70 mOhm @ 2A, 5V

Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.5V @ 600µA

Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 0.73nC @ 5V

Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 75pF @ 50V

Võimsus - max : -

Töötemperatuur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Paigaldus tüüp : Surface Mount

Pakett / kohver : Die

Tarnija seadme pakett : Die

Samuti võite olla huvitatud

SI1539DDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.
PMGD130UN,115

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP.
SM6K2T110

Rohm Semiconductor

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.
ZXMC3AMCTA

Diodes Incorporated

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.
AO8804L

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

MOSFET 2N-CH 20V.
SI4288DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

English Eesti Vabariik