Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB12JTHE3/45

KEY Part #: K6445591

UGB12JTHE3/45 Hinnakujundus (USD) [2056tk Laos]

  • 1,000 pcs$0.34895

Osa number:
UGB12JTHE3/45
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - JFET-id, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Dioodid - alaldid - massiivid and Dioodid - sillaldid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB12JTHE3/45 electronic components. UGB12JTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB12JTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB12JTHE3/45 Toote atribuudid

Osa number : UGB12JTHE3/45
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB
Sari : -
Osa olek : Obsolete
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 600V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 12A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.75V @ 12A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 50ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 30µA @ 600V
Mahtuvus @ Vr, F : -
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tarnija seadme pakett : TO-263AB
Töötemperatuur - ristmik : -55°C ~ 150°C

Samuti võite olla huvitatud
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode