Diodes Incorporated - RS1DB-13-F

KEY Part #: K6455018

RS1DB-13-F Hinnakujundus (USD) [963938tk Laos]

  • 1 pcs$0.03856
  • 3,000 pcs$0.03837
  • 6,000 pcs$0.03624
  • 15,000 pcs$0.03304
  • 30,000 pcs$0.03091

Osa number:
RS1DB-13-F
Tootja:
Diodes Incorporated
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 200V
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Dioodid - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - JFET-id, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - RF and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Diodes Incorporated RS1DB-13-F electronic components. RS1DB-13-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1DB-13-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1DB-13-F Toote atribuudid

Osa number : RS1DB-13-F
Tootja : Diodes Incorporated
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 200V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.3V @ 1A
Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 150ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 5µA @ 200V
Mahtuvus @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-214AA, SMB
Tarnija seadme pakett : SMB
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 150°C

Samuti võite olla huvitatud
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • RURD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • 50WQ10FNTR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V DPAK.

  • VS-30EPH03PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 30A TO247AC. Rectifiers 300 Volt 30 Amp