Infineon Technologies - IPW60R099CPAFKSA1

KEY Part #: K6416347

IPW60R099CPAFKSA1 Hinnakujundus (USD) [13884tk Laos]

  • 1 pcs$2.96832
  • 240 pcs$2.72331

Osa number:
IPW60R099CPAFKSA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 31A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - TRIAC-d, Dioodid - sillaldid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - JFET-id, Türistorid - SCR, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud and Transistorid - eriotstarbelised ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IPW60R099CPAFKSA1 electronic components. IPW60R099CPAFKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPW60R099CPAFKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R099CPAFKSA1 Toote atribuudid

Osa number : IPW60R099CPAFKSA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
Sari : Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 600V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 31A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 105 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 3.5V @ 1.2mA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 80nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 100V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 255W (Tc)
Töötemperatuur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : PG-TO247-3
Pakett / kohver : TO-247-3