ON Semiconductor - FDP12N60NZ

KEY Part #: K6417866

FDP12N60NZ Hinnakujundus (USD) [43906tk Laos]

  • 1 pcs$0.89055
  • 1,000 pcs$0.31767

Osa number:
FDP12N60NZ
Tootja:
ON Semiconductor
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - ühekordsed, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - IGBT - üksikud, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid and Dioodid - Zener - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in ON Semiconductor FDP12N60NZ electronic components. FDP12N60NZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP12N60NZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP12N60NZ Toote atribuudid

Osa number : FDP12N60NZ
Tootja : ON Semiconductor
Kirjeldus : MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
Sari : UniFET-II™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 600V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 34nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1676pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 240W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : TO-220-3
Pakett / kohver : TO-220-3

Samuti võite olla huvitatud
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.