Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Integraallülitused (IC)
  4. Mälu
  5. TH58NYG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TH58NYG3S0HBAI4

KEY Part #: K929459

TH58NYG3S0HBAI4 Hinnakujundus (USD) [10841tk Laos]

  • 1 pcs$4.22631
Osa number:
TH58NYG3S0HBAI4
Tootja:
Toshiba Memory America, Inc.
Täpsem kirjeldus:
8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Liides - draiverid, vastuvõtjad, transiiverid, Kell / ajastus - kellageneraatorid, PLL-id, sagedu, Liides - telekommunikatsioon, Liides - analooglülitid - eriotstarbelised, PMIC - juhendajad, Audio eriotstarbeline, PMIC - energia mõõtmine and Spetsialiseeritud IC ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58NYG3S0HBAI4 electronic components. TH58NYG3S0HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58NYG3S0HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NYG3S0HBAI4 Toote atribuudid

Osa number : TH58NYG3S0HBAI4
Tootja : Toshiba Memory America, Inc.
Kirjeldus : 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
Sari : -
Osa olek : Active
Mälu tüüp : Non-Volatile
Mälu vorming : FLASH
Tehnoloogia : FLASH - NAND (SLC)
Mälu suurus : 8Gb (1G x 8)
Kella sagedus : -
Kirjutage tsükli aeg - sõna, leht : 25ns
Juurdepääsu aeg : 25ns
Mäluliides : Parallel
Pinge - toide : 1.7V ~ 1.95V
Töötemperatuur : -40°C ~ 85°C (TA)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : 63-VFBGA
Tarnija seadme pakett : 63-TFBGA (9x11)

Viimased uudised

Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Samuti võite olla huvitatud
  • TH58NYG3S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • M93S56-WMN6T

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SO.

  • M95020-RMB6TG

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8UFDFPN.

  • BR93L66FJ-WE2

    Rohm Semiconductor

    IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOPJ. EEPROM McrWre BUS 3-Wre 4K SOP-J8 EEPROM

  • IDT71V416VL12PHI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II.

  • IDT71V416VL12PH8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II.

Kuumad osad