Vishay Siliconix - SIHH100N60E-T1-GE3

KEY Part #: K6417057

SIHH100N60E-T1-GE3 Hinnakujundus (USD) [24266tk Laos]

  • 1 pcs$1.69839

Osa number:
SIHH100N60E-T1-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Türistorid - SCR, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Dioodid - alaldid - massiivid and Transistorid - eriotstarbelised ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SIHH100N60E-T1-GE3 electronic components. SIHH100N60E-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHH100N60E-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH100N60E-T1-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SIHH100N60E-T1-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X
Sari : E
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 600V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 100 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 53nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1850pF @ 100V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 174W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PowerPAK® 8 x 8
Pakett / kohver : 8-PowerTDFN

Samuti võite olla huvitatud
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.