Vishay Siliconix - SI7119DN-T1-GE3

KEY Part #: K6420658

SI7119DN-T1-GE3 Hinnakujundus (USD) [196638tk Laos]

  • 1 pcs$0.18810
  • 3,000 pcs$0.17663

Osa number:
SI7119DN-T1-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Dioodid - Zener - massiivid, Türistorid - SCR, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - JFET-id and Transistorid - programmeeritav unijunktsioon ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SI7119DN-T1-GE3 electronic components. SI7119DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7119DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7119DN-T1-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SI7119DN-T1-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
Sari : TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : P-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 200V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 3.8A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 6V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 1.05 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 25nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 666pF @ 50V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Töötemperatuur : -50°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PowerPAK® 1212-8
Pakett / kohver : PowerPAK® 1212-8