ON Semiconductor - FDD20AN06A0

KEY Part #: K6411255

[13854tk Laos]


    Osa number:
    FDD20AN06A0
    Tootja:
    ON Semiconductor
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - üksikud, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Dioodid - RF, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - alaldid - massiivid and Dioodid - sillaldid ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in ON Semiconductor FDD20AN06A0 electronic components. FDD20AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD20AN06A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDD20AN06A0 Toote atribuudid

    Osa number : FDD20AN06A0
    Tootja : ON Semiconductor
    Kirjeldus : MOSFET N-CH 60V 45A D-PAK
    Sari : PowerTrench®
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : N-Channel
    Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 60V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 8A (Ta), 45A (Tc)
    Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 20 mOhm @ 45A, 10V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 19nC @ 10V
    VG (maksimaalselt) : ±20V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 25V
    FET funktsioon : -
    Võimsuse hajumine (max) : 90W (Tc)
    Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Tarnija seadme pakett : TO-252AA
    Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Samuti võite olla huvitatud
    • ZVN2535ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3.

    • ZVN2535ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3.

    • ZVN2535ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 350V 0.09A TO92-3.

    • ZVN2120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVN2120ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVN2120ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.