Vishay Siliconix - SIB437EDKT-T1-GE3

KEY Part #: K6400919

SIB437EDKT-T1-GE3 Hinnakujundus (USD) [3230tk Laos]

  • 3,000 pcs$0.08227

Osa number:
SIB437EDKT-T1-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - JFET-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - sillaldid, Türistorid - SCR and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SIB437EDKT-T1-GE3 electronic components. SIB437EDKT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB437EDKT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIB437EDKT-T1-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SIB437EDKT-T1-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
Sari : TrenchFET®
Osa olek : Obsolete
FET tüüp : P-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 8V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 1.2V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 34 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 700mV @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
VG (maksimaalselt) : ±5V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PowerPAK® TSC75-6
Pakett / kohver : PowerPAK® TSC-75-6