Osa number :
IPD082N10N3GATMA1
Tootja :
Infineon Technologies
Kirjeldus :
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
100V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
6V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
3.5V @ 75µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
55nC @ 10V
VG (maksimaalselt) :
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
3980pF @ 50V
Võimsuse hajumine (max) :
125W (Tc)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Tarnija seadme pakett :
PG-TO252-3
Pakett / kohver :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63