Osa number :
SI4825DY-T1-E3
Tootja :
Vishay Siliconix
Kirjeldus :
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
30V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
8.1A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
14 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
3V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
71nC @ 10V
VG (maksimaalselt) :
±25V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Võimsuse hajumine (max) :
1.5W (Ta)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Tarnija seadme pakett :
8-SO
Pakett / kohver :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)