Vishay Siliconix - SI4825DY-T1-E3

KEY Part #: K6408642

[556tk Laos]


    Osa number:
    SI4825DY-T1-E3
    Tootja:
    Vishay Siliconix
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Transistorid - JFET-id, Dioodid - Zener - massiivid, Dioodid - alaldid - massiivid, Türistorid - SCR - moodulid, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - eriotstarbelised and Dioodid - alaldid - ühekordsed ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4825DY-T1-E3 electronic components. SI4825DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4825DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4825DY-T1-E3 Toote atribuudid

    Osa number : SI4825DY-T1-E3
    Tootja : Vishay Siliconix
    Kirjeldus : MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
    Sari : TrenchFET®
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : P-Channel
    Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 30V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 8.1A (Ta)
    Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 14 mOhm @ 11.5A, 10V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 3V @ 250µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 71nC @ 10V
    VG (maksimaalselt) : ±25V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET funktsioon : -
    Võimsuse hajumine (max) : 1.5W (Ta)
    Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Tarnija seadme pakett : 8-SO
    Pakett / kohver : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Samuti võite olla huvitatud