UGB8GT-E3/81 Hinnakujundus (USD) [124099tk Laos]
- 1 pcs$0.29805
- 800 pcs$0.27916
- Osa number:
- UGB8GT-E3/81
- Täpsem kirjeldus:
- DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB. Rectifiers 400 Volt 8.0A 35ns 110 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Laos
- Säilitusaeg:
- Üks aasta
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Makseviis:
-
- Saadetise viis:
- Perekonna kategooriad:
- KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Elektrijuhi moodulid and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud ...
- Konkurentsieelis:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB8GT-E3/81 electronic components. UGB8GT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB8GT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UGB8GT-E3/81 Toote atribuudid
Osa number :
UGB8GT-E3/81
Tootja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus :
DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Sari :
-
Osa olek :
Active
Dioodi tüüp :
Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) :
400V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) :
8A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui :
1.25V @ 8A
Kiirus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) :
50ns
Praegune - vastupidine leke @ Vr :
10µA @ 400V
Mahtuvus @ Vr, F :
-
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Pakett / kohver :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tarnija seadme pakett :
TO-263AB
Töötemperatuur - ristmik :
-40°C ~ 150°C
Viimased uudised
Samuti võite olla huvitatud
-
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
GIB1404HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns 125 Amp IFSM
-
UGB8FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 300 Volt 35ns 110 Amp IFSM
-
GIB1403HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 8.0A 35ns 125 Amp IFSM
Kuumad osad
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18
选择你的位置