Ampleon USA Inc. - BLF6G13LS-250PGJ

KEY Part #: K6466606

BLF6G13LS-250PGJ Hinnakujundus (USD) [481tk Laos]

1 pcs$97.07020
100 pcs$96.58727

Osa number:: BLF6G13LS-250PGJ

Tootja:: Ampleon USA Inc.

Täpsem kirjeldus:: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E.

Manufacturer's standard lead time:: Laos

Säilitusaeg:: Üks aasta

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Makseviis:

Saadetise viis:

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - IGBT - üksikud, Türistorid - SCR, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id and Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Ampleon USA Inc. BLF6G13LS-250PGJ electronic components. BLF6G13LS-250PGJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLF6G13LS-250PGJ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLF6G13LS-250PGJ Toote atribuudid

Osa number : BLF6G13LS-250PGJ

Tootja : Ampleon USA Inc.

Kirjeldus : RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E

Sari : -

Osa olek : Not For New Designs

Transistori tüüp : LDMOS

Sagedus : 1.3GHz

Kasum : 17dB

Pinge - test : 50V

Praegune hinnang : -

Müra joonis : -

Praegune - test : 100mA

Võimsus : 250W

Pinge - hinnatud : 100V

Pakett / kohver : SOT-1121E

Tarnija seadme pakett : LDMOST

Samuti võite olla huvitatud

NPTB00004A

M/A-Com Technology Solutions

HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC.
2SK3079ATE12LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSF RF N CH 10V PW-X.
RFM12U7X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH PW-X.
LET9045S

STMicroelectronics

TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A.
PD55025S-E

STMicroelectronics

FET RF 40V 500MHZ PWRSO10.
PD57006S-E

STMicroelectronics

FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10.

English Eesti Vabariik