Infineon Technologies - IPB06N03LAT

KEY Part #: K6410178

[26tk Laos]


    Osa number:
    IPB06N03LAT
    Tootja:
    Infineon Technologies
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Transistorid - eriotstarbelised, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - JFET-id, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Türistorid - SCR and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Infineon Technologies IPB06N03LAT electronic components. IPB06N03LAT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB06N03LAT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPB06N03LAT Toote atribuudid

    Osa number : IPB06N03LAT
    Tootja : Infineon Technologies
    Kirjeldus : MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
    Sari : OptiMOS™
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : N-Channel
    Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 25V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
    Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 5.9 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2V @ 40µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 22nC @ 5V
    VG (maksimaalselt) : ±20V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 2653pF @ 15V
    FET funktsioon : -
    Võimsuse hajumine (max) : 83W (Tc)
    Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Tarnija seadme pakett : PG-TO263-3-2
    Pakett / kohver : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB