Vishay Siliconix - SQJ912AEP-T1_GE3

KEY Part #: K6523102

SQJ912AEP-T1_GE3 Hinnakujundus (USD) [152759tk Laos]

  • 1 pcs$0.24213
  • 3,000 pcs$0.20465

Osa number:
SQJ912AEP-T1_GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - eriotstarbelised, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud and Dioodid - alaldid - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ912AEP-T1_GE3 electronic components. SQJ912AEP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ912AEP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ912AEP-T1_GE3 Toote atribuudid

Osa number : SQJ912AEP-T1_GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Sari : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : 2 N-Channel (Dual)
FET funktsioon : Standard
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 40V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 30A
Rds sees (max) @ id, Vgs : 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 38nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1835pF @ 20V
Võimsus - max : 48W
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : PowerPAK® SO-8 Dual
Tarnija seadme pakett : PowerPAK® SO-8 Dual

Samuti võite olla huvitatud
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI7949DP-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8.