Infineon Technologies - IPD034N06N3GATMA1

KEY Part #: K6416393

IPD034N06N3GATMA1 Hinnakujundus (USD) [121722tk Laos]

  • 1 pcs$0.30387

Osa number:
IPD034N06N3GATMA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Elektrijuhi moodulid, Dioodid - RF, Dioodid - sillaldid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Türistorid - SCR - moodulid and Transistorid - FET, MOSFET - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IPD034N06N3GATMA1 electronic components. IPD034N06N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD034N06N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD034N06N3GATMA1 Toote atribuudid

Osa number : IPD034N06N3GATMA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Sari : OptiMOS™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 60V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 93µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 130nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 11000pF @ 30V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 167W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PG-TO252-3
Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Samuti võite olla huvitatud
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.