Infineon Technologies - IRFR4105PBF

KEY Part #: K6413737

IRFR4105PBF Hinnakujundus (USD) [12997tk Laos]

  • 3,000 pcs$0.18662

Osa number:
IRFR4105PBF
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - sillaldid, Dioodid - RF, Elektrijuhi moodulid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id and Transistorid - eriotstarbelised ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IRFR4105PBF electronic components. IRFR4105PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR4105PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR4105PBF Toote atribuudid

Osa number : IRFR4105PBF
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
Sari : HEXFET®
Osa olek : Discontinued at Digi-Key
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 55V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 27A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 45 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 34nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 700pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 68W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : D-Pak
Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Samuti võite olla huvitatud
  • IRF5805

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.

  • IRF5800

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP.

  • IRF5804

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP.

  • IRF5803

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5806

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.

  • ZVNL110ASTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.