Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Dioodid - alaldid - massiivid
  5. MURTA600120

GeneSiC Semiconductor - MURTA600120

KEY Part #: K6468639

MURTA600120 Hinnakujundus (USD) [671tk Laos]

  • 1 pcs$69.19588
  • 18 pcs$38.91334
Osa number:
MURTA600120
Tootja:
GeneSiC Semiconductor
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 600A Si Super Fast Recovery
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Dioodid - Zener - üksikud, Dioodid - sillaldid and Türistorid - SCR ...
Konkurentsieelis:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA600120 electronic components. MURTA600120 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA600120, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA600120 Toote atribuudid

Osa number : MURTA600120
Tootja : GeneSiC Semiconductor
Kirjeldus : DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi seadistamine : 1 Pair Common Cathode
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 1200V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) (dioodi kohta) : 300A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 2.6V @ 300A
Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : -
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 25µA @ 1200V
Töötemperatuur - ristmik : -55°C ~ 150°C
Paigaldus tüüp : Chassis Mount
Pakett / kohver : Three Tower
Tarnija seadme pakett : Three Tower
Samuti võite olla huvitatud
  • RURD620CCS9A-F085P

    ON Semiconductor

    UFDR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers UFDR DPAK PN 6A 200V

  • LQA10T150C

    Power Integrations

    DIODE CC 150V 5A DUAL TO-220AB. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect

  • LQA12T300C

    Power Integrations

    DIODE ARRAY GP 300V 6A TO220AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Q-Series 300V 6A Dual Ultra-Low Qrr

  • BAS4006E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

  • BAS7006E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 V 70 mA

  • BAT1804E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23.

Kuumad osad