Taiwan Semiconductor Corporation - S1JR2

KEY Part #: K6458587

S1JR2 Hinnakujundus (USD) [2750629tk Laos]

  • 1 pcs$0.01345

Osa number:
S1JR2
Tootja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Täpsem kirjeldus:
1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Türistorid - SCR, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id and Dioodid - alaldid - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1JR2 electronic components. S1JR2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1JR2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1JR2 Toote atribuudid

Osa number : S1JR2
Tootja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kirjeldus : 1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R
Sari : -
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 600V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.1V @ 1A
Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : 1.5µs
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 1µA @ 600V
Mahtuvus @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-214AC, SMA
Tarnija seadme pakett : DO-214AC (SMA)
Töötemperatuur - ristmik : -55°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode