Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Transistorid - FET, MOSFET - üksikud
  5. EPC8004

EPC - EPC8004

KEY Part #: K6403486

EPC8004 Hinnakujundus (USD) [38171tk Laos]

  • 1 pcs$1.07579
  • 2,500 pcs$1.07044
Osa number:
EPC8004
Tootja:
EPC
Täpsem kirjeldus:
GANFET TRANS 40V 2.7A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - sillaldid, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Türistorid - TRIAC-d, Elektrijuhi moodulid, Transistorid - IGBT - üksikud, Türistorid - SCR and Dioodid - RF ...
Konkurentsieelis:
We specialize in EPC EPC8004 electronic components. EPC8004 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC8004, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC8004 Toote atribuudid

Osa number : EPC8004
Tootja : EPC
Kirjeldus : GANFET TRANS 40V 2.7A BUMPED DIE
Sari : eGaN®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : GaNFET (Gallium Nitride)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 40V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 5V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 110 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 0.45nC @ 5V
VG (maksimaalselt) : +6V, -4V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 52pF @ 20V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : -
Töötemperatuur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : Die
Pakett / kohver : Die
Samuti võite olla huvitatud
  • FQD20N06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK.

  • FQD6N40CTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK.

  • FDD86580-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD3682

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK.

  • FDD8780

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 25V 35A TO-252AA.

  • FQD4N25TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.

Kuumad osad