Microsemi Corporation - APT30GP60BG

KEY Part #: K6421754

APT30GP60BG Hinnakujundus (USD) [8755tk Laos]

1 pcs$4.70668

Osa number:: APT30GP60BG

Tootja:: Microsemi Corporation

Täpsem kirjeldus:: IGBT 600V 100A 463W TO247.

Manufacturer's standard lead time:: Laos

Säilitusaeg:: Üks aasta

Chip From:: Hongkong

RoHS:

Makseviis:

Saadetise viis:

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - eriotstarbelised, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Dioodid - Zener - üksikud and Transistorid - IGBT-moodulid ...

Konkurentsieelis:: We specialize in Microsemi Corporation APT30GP60BG electronic components. APT30GP60BG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT30GP60BG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APT30GP60BG Toote atribuudid

Osa number : APT30GP60BG

Tootja : Microsemi Corporation

Kirjeldus : IGBT 600V 100A 463W TO247

Sari : POWER MOS 7®

Osa olek : Not For New Designs

IGBT tüüp : PT

Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 600V

Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 100A

Praegune - koguja impulss (Icm) : 100A

Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 30A

Võimsus - max : 463W

Energia vahetamine : 260µJ (on), 250µJ (off)

Sisendi tüüp : Standard

Värava laadimine : 90nC

Td (sisse / välja) @ 25 ° C : 13ns/55ns

Testi seisund : 400V, 30A, 5 Ohm, 15V

Vastupidine taastumisaeg (trr) : -

Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Paigaldus tüüp : Through Hole

Pakett / kohver : TO-247-3

Tarnija seadme pakett : TO-247 [B]

Viimased uudised

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Samuti võite olla huvitatud

FGD3N60LSDTM

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 40W DPAK.
FDV301N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23.
SSM3J325F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI.
BSS138

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23.
BSS123NH6433XTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23.
BSS7728NH6327XTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23.

English Eesti Vabariik