GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-247

KEY Part #: K6404176

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - eriotstarbelised and Dioodid - alaldid - ühekordsed ...

Konkurentsieelis:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 electronic components. GA10JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : GA10JT12-247

Tootja : GeneSiC Semiconductor

Kirjeldus : TRANS SJT 1.2KV 10A

Sari : -

Osa olek : Obsolete

FET tüüp : -

Tehnoloogia : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Tühjendage toitepingele (Vdss) : 1200V

Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : -

Rds sees (max) @ id, Vgs : 140 mOhm @ 10A

Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : -

Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : -

VG (maksimaalselt) : -

Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET funktsioon : -

Võimsuse hajumine (max) : 170W (Tc)

Töötemperatuur : 175°C (TJ)

Paigaldus tüüp : Through Hole

Tarnija seadme pakett : TO-247AB

Pakett / kohver : TO-247-3

Samuti võite olla huvitatud

NP60N055VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.
NP60N04VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.
AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.