Osa number :
SIAA00DJ-T1-GE3
Tootja :
Vishay Siliconix
Kirjeldus :
MOSFET N-CHAN 25V
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
25V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
20.1A (Ta), 40A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
5.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
2.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
24nC @ 10V
VG (maksimaalselt) :
+16V, -12V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
1090pF @ 12.5V
Võimsuse hajumine (max) :
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Töötemperatuur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Tarnija seadme pakett :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pakett / kohver :
PowerPAK® SC-70-6