Vishay Siliconix - SI2301BDS-T1-E3

KEY Part #: K6420843

SI2301BDS-T1-E3 Hinnakujundus (USD) [813936tk Laos]

  • 1 pcs$0.04544
  • 3,000 pcs$0.04229

Osa number:
SI2301BDS-T1-E3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - SCR, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SI2301BDS-T1-E3 electronic components. SI2301BDS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2301BDS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2301BDS-T1-E3 Toote atribuudid

Osa number : SI2301BDS-T1-E3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Sari : TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : P-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 20V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 2.5V, 4.5V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 950mV @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
VG (maksimaalselt) : ±8V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 375pF @ 6V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 700mW (Ta)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : SOT-23-3 (TO-236)
Pakett / kohver : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Samuti võite olla huvitatud