Infineon Technologies - BSM25GD120DN2E3224BOSA1

KEY Part #: K6534519

BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Hinnakujundus (USD) [1020tk Laos]

  • 1 pcs$45.53010

Osa number:
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Dioodid - sillaldid, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - FET, MOSFET - RF and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies BSM25GD120DN2E3224BOSA1 electronic components. BSM25GD120DN2E3224BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM25GD120DN2E3224BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Toote atribuudid

Osa number : BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
Sari : -
Osa olek : Not For New Designs
IGBT tüüp : -
Seadistamine : Three Phase Inverter
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 1200V
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 35A
Võimsus - max : 200W
Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 3V @ 15V, 25A
Praegune - koguja väljalülitus (max) : 800µA
Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : 1.65nF @ 25V
Sisend : Standard
NTC termistor : No
Töötemperatuur : 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Chassis Mount
Pakett / kohver : Module
Tarnija seadme pakett : Module