Vishay Siliconix - SQM120P10_10M1LGE3

KEY Part #: K6417885

SQM120P10_10M1LGE3 Hinnakujundus (USD) [44745tk Laos]

  • 1 pcs$0.87385

Osa number:
SQM120P10_10M1LGE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET P-CH 100V 120A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid, Elektrijuhi moodulid and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SQM120P10_10M1LGE3 electronic components. SQM120P10_10M1LGE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM120P10_10M1LGE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM120P10_10M1LGE3 Toote atribuudid

Osa number : SQM120P10_10M1LGE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Sari : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : P-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 100V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 10.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 190nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 9000pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 375W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : TO-263 (D²Pak)
Pakett / kohver : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Samuti võite olla huvitatud
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.