VS-ST330S12P0 Hinnakujundus (USD) [479tk Laos]
- 1 pcs$92.07647
- 10 pcs$88.18638
- 25 pcs$86.24093
- Osa number:
- VS-ST330S12P0
- Täpsem kirjeldus:
- SCR PHAS CONT 1200V 330A TO-118C. SCR Modules 1200 Volt 330 Amp
- Manufacturer's standard lead time:
- Laos
- Säilitusaeg:
- Üks aasta
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Makseviis:
-
- Saadetise viis:
- Perekonna kategooriad:
- KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - FET, MOSFET - RF and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m ...
- Konkurentsieelis:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST330S12P0 electronic components. VS-ST330S12P0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST330S12P0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST330S12P0 Toote atribuudid
Osa number :
VS-ST330S12P0
Tootja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus :
SCR PHAS CONT 1200V 330A TO-118C
Sari :
-
Osa olek :
Active
Pinge - väljalülitatud olek :
1.2kV
Pinge - värava päästik (Vgt) (maksimaalselt) :
3V
Praegune - värava päästik (Igt) (maksimaalselt) :
200mA
Pinge - olekus (Vtm) (maksimaalselt) :
1.52V
Praegune - olekus (see (AV)) (maksimaalselt) :
330A
Praegune - olekus (see (RMS)) (maksimaalselt) :
520A
Praegune - hoidke (Ih) (maksimaalselt) :
600mA
Praegune - väljalülitatud olek (maksimaalselt) :
50mA
Voolutugevus - mittetootlik ülepinge 50, 60Hz (selle sagedus) :
9000A, 9420A
SCR tüüp :
Standard Recovery
Töötemperatuur :
-40°C ~ 125°C
Paigaldus tüüp :
Chassis, Stud Mount
Pakett / kohver :
TO-209AE, TO-118-4, Stud
Tarnija seadme pakett :
TO-209AE (TO-118)
Viimased uudised
Samuti võite olla huvitatud
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Kuumad osad
- VS-ST180S20P1
- VS-ST183S04MFN1P
- C152P
- MCR100F-8-TP
- BT155Z-1200TQ
- CPS053-2N878-WN
- CS220-10D
- NSR356
- NSD188
- JAN2N2324U4
- VS-12TTS08STRRPBF
- T72H0648B4DN
- T7SH064074DN
- T72H063564DN
- T72H044854DN
- T72H0448B4DN
- T7SH086024DN
- TYN16X-600RT,127
- S4010RS3
- VS-25TTS12FPPBF
- BT169D-L,112
- BTW67-200
- MCR22-6G
- MCR100-3G
- S6010VS3
- S2008FS21
- P0111MA2AL3
- SK008V
- 10TTS08STRR
- S2006DRP
- S6012V
- S6010V
- 16TTS08STRL
- BT258U-600R,127
- VS-16TTS08STRRPBF
- BT148W-600R,115
- BRX46
- CS218-55PB
- ST3230C16R0
- TS110-7UF
选择你的位置