Vishay Siliconix - SI4947ADY-T1-GE3

KEY Part #: K6524086

[3949tk Laos]


    Osa number:
    SI4947ADY-T1-GE3
    Tootja:
    Vishay Siliconix
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - sillaldid, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m and Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4947ADY-T1-GE3 electronic components. SI4947ADY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4947ADY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4947ADY-T1-GE3 Toote atribuudid

    Osa number : SI4947ADY-T1-GE3
    Tootja : Vishay Siliconix
    Kirjeldus : MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC
    Sari : TrenchFET®
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : 2 P-Channel (Dual)
    FET funktsioon : Logic Level Gate
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 30V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 3A
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 80 mOhm @ 3.9A, 10V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 1V @ 250µA (Min)
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 8nC @ 5V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Võimsus - max : 1.2W
    Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Pakett / kohver : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Tarnija seadme pakett : 8-SO