Infineon Technologies - IKA03N120H2XKSA1

KEY Part #: K6423912

[9489tk Laos]


    Osa number:
    IKA03N120H2XKSA1
    Tootja:
    Infineon Technologies
    Täpsem kirjeldus:
    IGBT 1200V 8.2A 29W TO220-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - JFET-id, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Dioodid - Zener - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid and Transistorid - IGBT - üksikud ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Infineon Technologies IKA03N120H2XKSA1 electronic components. IKA03N120H2XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IKA03N120H2XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IKA03N120H2XKSA1 Toote atribuudid

    Osa number : IKA03N120H2XKSA1
    Tootja : Infineon Technologies
    Kirjeldus : IGBT 1200V 8.2A 29W TO220-3
    Sari : -
    Osa olek : Obsolete
    IGBT tüüp : -
    Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 1200V
    Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 8.2A
    Praegune - koguja impulss (Icm) : 9A
    Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 2.8V @ 15V, 3A
    Võimsus - max : 29W
    Energia vahetamine : 290µJ
    Sisendi tüüp : Standard
    Värava laadimine : 8.6nC
    Td (sisse / välja) @ 25 ° C : 9.2ns/281ns
    Testi seisund : 800V, 3A, 82 Ohm, 15V
    Vastupidine taastumisaeg (trr) : 52ns
    Töötemperatuur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Through Hole
    Pakett / kohver : TO-220-3 Full Pack
    Tarnija seadme pakett : PG-TO220-3