Osa number :
IPD65R650CEATMA1
Tootja :
Infineon Technologies
Kirjeldus :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
Tehnoloogia :
MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) :
650V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C :
10.1A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) :
10V
Rds sees (max) @ id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id :
3.5V @ 0.21mA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs :
23nC @ 10V
VG (maksimaalselt) :
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
FET funktsioon :
Super Junction
Võimsuse hajumine (max) :
86W (Tc)
Töötemperatuur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp :
Surface Mount
Tarnija seadme pakett :
PG-TO252-3
Pakett / kohver :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63