Infineon Technologies - IPD65R650CEATMA1

KEY Part #: K6401859

IPD65R650CEATMA1 Hinnakujundus (USD) [2905tk Laos]

  • 2,500 pcs$0.14383

Osa number:
IPD65R650CEATMA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Elektrijuhi moodulid, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel and Türistorid - TRIAC-d ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies IPD65R650CEATMA1 electronic components. IPD65R650CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD65R650CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD65R650CEATMA1 Toote atribuudid

Osa number : IPD65R650CEATMA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
Sari : CoolMOS™
Osa olek : Obsolete
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 650V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 10.1A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 3.5V @ 0.21mA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 23nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V
FET funktsioon : Super Junction
Võimsuse hajumine (max) : 86W (Tc)
Töötemperatuur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PG-TO252-3
Pakett / kohver : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Samuti võite olla huvitatud
  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.

  • PMN27XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP.