Vishay Siliconix - SI4401FDY-T1-GE3

KEY Part #: K6409696

SI4401FDY-T1-GE3 Hinnakujundus (USD) [247639tk Laos]

  • 1 pcs$0.14936

Osa number:
SI4401FDY-T1-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET P-CHAN 40V SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Türistorid - SCR - moodulid, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Dioodid - Zener - üksikud, Dioodid - alaldid - massiivid and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SI4401FDY-T1-GE3 electronic components. SI4401FDY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4401FDY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4401FDY-T1-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SI4401FDY-T1-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET P-CHAN 40V SO-8
Sari : TrenchFET® Gen III
Osa olek : Active
FET tüüp : P-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 40V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 9.9A (Ta), 14A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 14.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 2.3V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 100nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 4000pF @ 20V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : 8-SO
Pakett / kohver : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)