GeneSiC Semiconductor - MBR600200CTR

KEY Part #: K6468517

Täpsem kirjeldus:: DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 150V 600A Reverse

Perekonna kategooriad:: KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - IGBT - üksikud, Türistorid - SCR, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - JFET-id, Dioodid - Zener - massiivid and Dioodid - Zener - üksikud ...

Konkurentsieelis:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR electronic components. MBR600200CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa number : MBR600200CTR

Tootja : GeneSiC Semiconductor

Kirjeldus : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

Sari : -

Osa olek : Active

Dioodi seadistamine : 1 Pair Common Anode

Dioodi tüüp : Schottky

Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 200V

Praegune - keskmine puhastatud (Io) (dioodi kohta) : 300A

Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 920mV @ 300A

Kiirus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Vastupidine taastumisaeg (trr) : -

Praegune - vastupidine leke @ Vr : 3mA @ 200V

Töötemperatuur - ristmik : -55°C ~ 150°C

Paigaldus tüüp : Chassis Mount

Pakett / kohver : Twin Tower

Tarnija seadme pakett : Twin Tower

Samuti võite olla huvitatud

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.
BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.
MMBD1405A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
BAS4005E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.

Kuumad osad