Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41THE3/96

KEY Part #: K6457732

GL41THE3/96 Hinnakujundus (USD) [656751tk Laos]

  • 1 pcs$0.05632
  • 6,000 pcs$0.05149

Osa number:
GL41THE3/96
Tootja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Täpsem kirjeldus:
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1300 Volt 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - FET, MOSFET - üksikud and Transistorid - IGBT - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41THE3/96 electronic components. GL41THE3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41THE3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL41THE3/96 Toote atribuudid

Osa number : GL41THE3/96
Tootja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kirjeldus : DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
Sari : SUPERECTIFIER®
Osa olek : Active
Dioodi tüüp : Standard
Pinge - tagurpidi alalisvool (Vr) (max) : 1300V
Praegune - keskmine puhastatud (Io) : 1A
Pinge - edasi (Vf) (maksimaalselt) @ kui : 1.2V @ 1A
Kiirus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Vastupidine taastumisaeg (trr) : -
Praegune - vastupidine leke @ Vr : 10µA @ 1300V
Mahtuvus @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Pakett / kohver : DO-213AB, MELF (Glass)
Tarnija seadme pakett : DO-213AB
Töötemperatuur - ristmik : -65°C ~ 175°C

Samuti võite olla huvitatud
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Rectifiers 600 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM