ON Semiconductor - FDS5670

KEY Part #: K6393900

FDS5670 Hinnakujundus (USD) [109412tk Laos]

  • 1 pcs$0.38855
  • 2,500 pcs$0.38662

Osa number:
FDS5670
Tootja:
ON Semiconductor
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Elektrijuhi moodulid, Transistorid - IGBT-moodulid, Transistorid - IGBT - massiivid, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel and Dioodid - Zener - massiivid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in ON Semiconductor FDS5670 electronic components. FDS5670 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS5670, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS5670 Toote atribuudid

Osa number : FDS5670
Tootja : ON Semiconductor
Kirjeldus : MOSFET N-CH 60V 10A 8-SOIC
Sari : PowerTrench®
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 60V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 6V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 14 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 70nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 15V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 2.5W (Ta)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : 8-SOIC
Pakett / kohver : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)