Infineon Technologies - 6PS04512E43G37986NOSA1

KEY Part #: K6532664

6PS04512E43G37986NOSA1 Hinnakujundus (USD) [12tk Laos]

  • 1 pcs$2656.65848

Osa number:
6PS04512E43G37986NOSA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
IGBT MODULE 400V 217A.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - üksikud, Dioodid - RF, Dioodid - alaldid - ühekordsed, Türistorid - SCR, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - IGBT - massiivid and Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies 6PS04512E43G37986NOSA1 electronic components. 6PS04512E43G37986NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 6PS04512E43G37986NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6PS04512E43G37986NOSA1 Toote atribuudid

Osa number : 6PS04512E43G37986NOSA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : IGBT MODULE 400V 217A
Sari : -
Osa olek : Active
IGBT tüüp : Trench Field Stop
Seadistamine : Three Phase Inverter
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 1200V
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : -
Võimsus - max : -
Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : -
Praegune - koguja väljalülitus (max) : -
Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : -
Sisend : Standard
NTC termistor : Yes
Töötemperatuur : -25°C ~ 55°C
Paigaldus tüüp : Chassis Mount
Pakett / kohver : Module
Tarnija seadme pakett : Module

Samuti võite olla huvitatud
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.