Vishay Siliconix - SI1903DL-T1-GE3

KEY Part #: K6523479

[4152tk Laos]


    Osa number:
    SI1903DL-T1-GE3
    Tootja:
    Vishay Siliconix
    Täpsem kirjeldus:
    MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6.
    Manufacturer's standard lead time:
    Laos
    Säilitusaeg:
    Üks aasta
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Makseviis:
    Saadetise viis:
    Perekonna kategooriad:
    KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - massiivid, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - IGBT-moodulid, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - programmeeritav unijunktsioon, Türistorid - SCR and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid ...
    Konkurentsieelis:
    We specialize in Vishay Siliconix SI1903DL-T1-GE3 electronic components. SI1903DL-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1903DL-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1903DL-T1-GE3 Toote atribuudid

    Osa number : SI1903DL-T1-GE3
    Tootja : Vishay Siliconix
    Kirjeldus : MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
    Sari : TrenchFET®
    Osa olek : Obsolete
    FET tüüp : 2 P-Channel (Dual)
    FET funktsioon : Logic Level Gate
    Tühjendage toitepingele (Vdss) : 20V
    Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 410mA
    Rds sees (max) @ id, Vgs : 995 mOhm @ 410mA, 4.5V
    Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 1.5V @ 250µA
    Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 1.8nC @ 4.5V
    Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Võimsus - max : 270mW
    Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Paigaldus tüüp : Surface Mount
    Pakett / kohver : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    Tarnija seadme pakett : SC-70-6 (SOT-363)