Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Kui teie asukohta pole loendis, valige üks järgmistest:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Kodu
  2. Tooted
  3. Diskreetsed pooljuhttooted
  4. Transistorid - FET, MOSFET - üksikud
  5. IXFN24N100F

IXYS-RF - IXFN24N100F

KEY Part #: K6397999

IXFN24N100F Hinnakujundus (USD) [2516tk Laos]

  • 1 pcs$21.78900
  • 10 pcs$20.37454
  • 25 pcs$18.84371
  • 100 pcs$17.66600
  • 250 pcs$16.48825
Osa number:
IXFN24N100F
Tootja:
IXYS-RF
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Transistorid - JFET-id, Transistorid - IGBT-moodulid, Elektrijuhi moodulid and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - eelkallutatud m ...
Konkurentsieelis:
We specialize in IXYS-RF IXFN24N100F electronic components. IXFN24N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN24N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN24N100F Toote atribuudid

Osa number : IXFN24N100F
Tootja : IXYS-RF
Kirjeldus : MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Sari : HiPerRF™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 1000V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 390 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 5.5V @ 8mA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 195nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 6600pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 600W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Chassis Mount
Tarnija seadme pakett : SOT-227B
Pakett / kohver : SOT-227-4, miniBLOC

Viimased uudised

Guerrilla RF GRF4042 Low Noise Amplifier with Low Bypass
Guerrilla RF Linear Noise Amplifiers
Samuti võite olla huvitatud
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK7A60W5,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS.

  • 2SK3892

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D.

  • IRFIZ48NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP.

  • TK10A60E,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V TO220SIS.

Kuumad osad