IXYS - IXTF2N300P3

KEY Part #: K6395037

IXTF2N300P3 Hinnakujundus (USD) [2365tk Laos]

  • 1 pcs$18.30962

Osa number:
IXTF2N300P3
Tootja:
IXYS
Täpsem kirjeldus:
MOSFET N-CH.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Türistorid - SCR, Dioodid - Zener - üksikud, Transistorid - IGBT - massiivid, Transistorid - eriotstarbelised, Dioodid - muutuva mahtuvusega (muutujad, varactors and Transistorid - IGBT-moodulid ...
Konkurentsieelis:
We specialize in IXYS IXTF2N300P3 electronic components. IXTF2N300P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTF2N300P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTF2N300P3 Toote atribuudid

Osa number : IXTF2N300P3
Tootja : IXYS
Kirjeldus : MOSFET N-CH
Sari : Polar™
Osa olek : Active
FET tüüp : N-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 3000V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 1.6A (Tc)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 21 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 5V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 73nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : 1890pF @ 25V
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 160W (Tc)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Through Hole
Tarnija seadme pakett : ISOPLUS i4-PAC™
Pakett / kohver : ISOPLUSi5-Pak™