Infineon Technologies - DF300R07PE4B6BOSA1

KEY Part #: K6532695

DF300R07PE4B6BOSA1 Hinnakujundus (USD) [593tk Laos]

  • 1 pcs$78.19050

Osa number:
DF300R07PE4B6BOSA1
Tootja:
Infineon Technologies
Täpsem kirjeldus:
IGBT MODULE VCES 650V 300A.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - eriotstarbelised, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - üksikud, Türistorid - SCR, Transistorid - IGBT - massiivid, Dioodid - alaldid - massiivid, Transistorid - FET, MOSFET - massiivid, Türistorid - DIAC-d, SIDAC-id and Transistorid - bipolaarsed (BJT) - RF ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Infineon Technologies DF300R07PE4B6BOSA1 electronic components. DF300R07PE4B6BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF300R07PE4B6BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF300R07PE4B6BOSA1 Toote atribuudid

Osa number : DF300R07PE4B6BOSA1
Tootja : Infineon Technologies
Kirjeldus : IGBT MODULE VCES 650V 300A
Sari : -
Osa olek : Active
IGBT tüüp : Trench Field Stop
Seadistamine : Three Phase Inverter
Pinge - kollektori emitteri jaotus (max) : 650V
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalselt) : 300A
Võimsus - max : 940W
Vce (sees) (max) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 300A
Praegune - koguja väljalülitus (max) : 1mA
Sisendmahtuvus (Cies) @ Vce : 18.5nF @ 25V
Sisend : Standard
NTC termistor : Yes
Töötemperatuur : -40°C ~ 150°C
Paigaldus tüüp : Chassis Mount
Pakett / kohver : Module
Tarnija seadme pakett : Module

Samuti võite olla huvitatud
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.