Vishay Siliconix - SI7431DP-T1-GE3

KEY Part #: K6397703

SI7431DP-T1-GE3 Hinnakujundus (USD) [40702tk Laos]

  • 1 pcs$0.96063
  • 3,000 pcs$0.89917

Osa number:
SI7431DP-T1-GE3
Tootja:
Vishay Siliconix
Täpsem kirjeldus:
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Laos
Säilitusaeg:
Üks aasta
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Makseviis:
Saadetise viis:
Perekonna kategooriad:
KEY Components Co, Ltd on elektrooniliste komponentide turustaja, kes pakub tootekategooriaid, sealhulgas: Transistorid - JFET-id, Türistorid - TRIAC-d, Transistorid - IGBT - üksikud, Transistorid - FET, MOSFET - RF, Dioodid - alaldid - massiivid, Türistorid - SCR - moodulid, Transistorid - bipolaarsed (BJT) - ühepoolsed, eel and Transistorid - FET, MOSFET - üksikud ...
Konkurentsieelis:
We specialize in Vishay Siliconix SI7431DP-T1-GE3 electronic components. SI7431DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7431DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7431DP-T1-GE3 Toote atribuudid

Osa number : SI7431DP-T1-GE3
Tootja : Vishay Siliconix
Kirjeldus : MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
Sari : TrenchFET®
Osa olek : Active
FET tüüp : P-Channel
Tehnoloogia : MOSFET (Metal Oxide)
Tühjendage toitepingele (Vdss) : 200V
Praegune - pidev äravool (id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)
Ajami pinge (max Rds sees, min Rds sees) : 6V, 10V
Rds sees (max) @ id, Vgs : 174 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (maksimaalselt) @ id : 4V @ 250µA
Värava laadimine (Qg) (maksimaalselt) @ Vgs : 135nC @ 10V
VG (maksimaalselt) : ±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET funktsioon : -
Võimsuse hajumine (max) : 1.9W (Ta)
Töötemperatuur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp : Surface Mount
Tarnija seadme pakett : PowerPAK® SO-8
Pakett / kohver : PowerPAK® SO-8

Samuti võite olla huvitatud
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.